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    InGaAs探測(cè)器的機(jī)理及應(yīng)用領(lǐng)域有哪些？

    發(fā)布時(shí)間： 2020-07-23　　點(diǎn)擊次數(shù)： 1907次
     　　InGaAs探測(cè)器的機(jī)理及應(yīng)用領(lǐng)域有哪些？
    　　InGaAs探測(cè)器是觀察、記錄粒子的裝置，也是核物理和粒子物理實(shí)驗(yàn)研究中*的設(shè)備，分為計(jì)數(shù)器和徑跡探測(cè)器兩類。它主要用于光譜學(xué)、氣體檢測(cè)、光學(xué)延時(shí)測(cè)量、光學(xué)相干層分析成像和光纖傳感測(cè)量等領(lǐng)域。
    　　目前來(lái)說(shuō)按照探測(cè)器的工作機(jī)理不同,該探測(cè)器常被分為熱探測(cè)器和光子型探測(cè)器。熱探測(cè)器利用紅外光的熱效應(yīng)及材料對(duì)溫度的敏感性來(lái)測(cè)量紅外輻射，其原理是熱敏材料吸收紅外光后溫度升高，利用材料的溫度敏感特性將溫度的變化轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘?hào)。
    　　目前主要利用溫差電效應(yīng)、熱釋電效應(yīng)、金屬、氣體等熱脹冷縮現(xiàn)象、超導(dǎo)體在Tc附近升高溫度電阻急劇變化等等。熱探測(cè)的響應(yīng)速度較慢，但其波長(zhǎng)響應(yīng)范圍寬。光子型探測(cè)器是利用光電效應(yīng)原理設(shè)計(jì)和制作的，光電效應(yīng)可分為光電子發(fā)射效應(yīng)、光電導(dǎo)效應(yīng)、光生伏*應(yīng)和光磁電效應(yīng)。光電子發(fā)射效應(yīng)是指在光輻射作用下產(chǎn)生的光電子逸出被照射材料的表面，稱為外光電效應(yīng)，多發(fā)生在金屬材料中。
    　　InGaAs探測(cè)器的應(yīng)用領(lǐng)域有：
    　　該探測(cè)器因其具有高性能、高可靠性、低功耗、低成本等顯著優(yōu)點(diǎn)，可廣泛應(yīng)用于場(chǎng)地監(jiān)控、早期火情預(yù)警、森林防火、駕駛視覺(jué)增強(qiáng)、防偽安檢、光伏芯片檢測(cè)、硅基半導(dǎo)體材料與工藝檢測(cè)、激光光學(xué)檢測(cè)、工業(yè)測(cè)溫、化工檢測(cè)、濕氣監(jiān)測(cè)、文物保護(hù)、健康醫(yī)療、物料分選以及航天航空等諸多領(lǐng)域，其*隨著紅外市場(chǎng)的規(guī)模擴(kuò)大也呈現(xiàn)出越來(lái)越廣闊的應(yīng)用前景，并在很多應(yīng)用場(chǎng)景與紅外熱成像技術(shù)互為補(bǔ)充。
    　　好了，以上便是關(guān)于InGaAs探測(cè)器的相關(guān)內(nèi)容介紹了。
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